深圳GSI鉭鈮礦檢測(cè)技術(shù)有限公司擁有大型的實(shí)驗(yàn)室，配備精良的測(cè)試儀器，與華南地區(qū)各實(shí)驗(yàn)室存在廣泛的合作關(guān)系。我們致力于以能力為客戶(hù)搭建一條、快速、優(yōu)惠的檢測(cè)認(rèn)證通道；幫助客戶(hù)減少開(kāi)發(fā)風(fēng)險(xiǎn)、縮短產(chǎn)品研發(fā)周期、降低產(chǎn)品成本；及時(shí)獲得各國(guó)市場(chǎng)的準(zhǔn)入證。

利用磁控反應(yīng)濺射技術(shù)制備了氮化鉭薄膜，利用ＴＥＭ、ＸＲＤ技術(shù)研究了薄膜的微觀結(jié)構(gòu)。研究結(jié)果表明：薄膜中多相共存；薄膜晶粒細(xì)?。ǎ保叮睿碜笥遥煌瑫r(shí)還發(fā)現(xiàn)，在一定工作壓力下，隨著氮分壓的提高，氮化物晶粒形成的取向改變，即平行于基體表面生長(zhǎng)的晶面會(huì)有改變。

氮化鉭靶材----氮化鉭（Tantalum mononitride）是一種化工材料，分子式為T(mén)aN，分子量為194.95。
用來(lái)制造片狀電阻的材料，氮化鉭電阻則可抵抗水汽的侵蝕。 在制造集成電路的過(guò)程中，這些膜沉積在硅晶片的頂部，以形成薄膜表面貼裝電阻

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