蝕刻(etching)又稱為光化學(xué)蝕刻,是把材料使用化學(xué)反應(yīng)或物理撞擊作用而移除的技術(shù),可分為濕蝕刻(wet etching)和干蝕刻(dry etching)兩種類型。通常所指蝕刻也稱光化學(xué)蝕刻(photochemical etching),指通過曝光制版、顯影后,將要蝕刻區(qū)域的保護膜去除,在蝕刻時接觸化學(xué)溶液,達到溶解腐蝕的作用,形成凹凸或者鏤空成型的效果。
側(cè)蝕產(chǎn)生突沿。通常印制板在蝕刻液中的時間越長,(或者使用老式的左右搖擺蝕刻機)側(cè)蝕越嚴重。側(cè)蝕嚴重影響印制導(dǎo)線的精度,嚴重側(cè)蝕將使制作精細導(dǎo)線成為不可能。當(dāng)側(cè)蝕和突沿降低時,蝕刻系數(shù)就升高,高的蝕刻系數(shù)表示有保持細導(dǎo)線的能力,使蝕刻后的導(dǎo)線接近原圖尺寸。電鍍蝕刻抗蝕劑無論是錫-鉛合金,錫,錫-鎳合金或鎳,突沿過度都會造成導(dǎo)線短路。因為突沿容易斷裂下來,在導(dǎo)線的兩點之間形成電的橋接。
銅對水的污染是印制電路生產(chǎn)中普遍存在的問題,氨堿蝕刻液的使用更加重了這個問題。因為銅與氨絡(luò)合,不容易用離子交換法或堿沉淀法除去。所以,采用第二次噴淋操作的方法,用無銅的添加液來漂洗板子,大大地減少銅的排出量。然后,再用空氣刀在水漂洗之前將板面上多余的溶液除去,從而減輕了水對銅和蝕刻的鹽類的漂洗負擔(dān)。
蝕刻技術(shù)其特征在于:
1.)蝕刻速率(安培/分鐘)
2.)選擇性:S=蝕刻速率材料1/蝕刻速率據(jù)說材料2對材料1比對材料2具有S的選擇性。
3.)各向異性:A=1-橫向蝕刻速率/垂直蝕刻速率
4.)欠切:如果0.8 um的線是由使用1 um的光致抗蝕劑線作為掩模的蝕刻產(chǎn)生的,那么對于該特定的蝕刻,據(jù)說工藝偏差是0.1um。
金屬蝕刻的原理
通常所指金屬蝕刻也稱光化學(xué)金屬蝕刻(photochemicaletching),指通過曝光制版、顯影后,將要金屬蝕刻區(qū)域內(nèi)的保護膜去除,在金屬蝕刻時接觸化學(xué)溶液,達到溶解腐蝕的作用,形成凹凸或者鏤空成型的效果。起初可用來制造銅版、鋅版等印刷凹凸版,也廣泛地被使用于減輕重量。
蝕刻在制造業(yè)中具有廣泛的應(yīng)用,可以在很多不同的產(chǎn)品中實現(xiàn)文字、圖案、標(biāo)識等作用。例如,在生產(chǎn)手機殼時,蝕刻能夠用于在金屬表面制作出觸摸感應(yīng)器、攝像頭、傳感器等元件的圖案和文字。除此之外,在汽車制造中,蝕刻能夠用于在車身上制作出各種圖案,以增加美觀度和提高車輛的防護等級。
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