當(dāng)超大規(guī)模集成電路的特征尺寸縮小至小于65nnm或者更小時,傳統(tǒng)的二氧化硅柵介質(zhì)層的厚度就需要小于1.4nm,而如此薄的二氧化硅層會大幅度增加器件功耗,并且減弱柵極電壓控制溝道的能力。在等效氧化層厚度保持不變的情況下,使用高介電材料替換傳統(tǒng)的柵極介質(zhì),使用加大介質(zhì)層物理厚度的方法,可以明顯減弱直接隧穿效應(yīng),并增加器件的可靠性。所以,找尋高介電的柵介質(zhì)材料就成了當(dāng)務(wù)之急。在高介電柵介質(zhì)材料中,由于五氧化二鉭既具有較高的介電常數(shù)(K-26),又能夠兼容與傳統(tǒng)的硅工藝,被普遍認(rèn)為是在新一代的動態(tài)隨機存儲器(DRAM)電容器件材料中相當(dāng)有潛力的替代品
五氧化二鉭靶材------ InChI=1/5O.2Ta/rO5Ta2/c1-6(2)5-7(3)4五氧化二鉭(Ta2O5)為白色無色結(jié)晶粉末,是鉭常見的氧化物,也是鉭在空氣中燃燒生成的終產(chǎn)物。主要用作拉鉭酸鋰單晶和制造高折射低色散特種光學(xué)玻璃用,化工中可作催化劑
鉭在單質(zhì)中,僅次于碳,鎢,錸和鋨,第五。鉭富有延展性,可以拉成細(xì)絲式制薄箔。其熱膨脹系數(shù)很小。每升高一攝氏度只膨脹百萬分之六點六。除此之外,它的韌性很強,比銅還要。
鉭還有非常出色的化學(xué)性質(zhì),具有的抗腐蝕性,無論是在冷和熱的條件下,對鹽酸、及“王水”都不反應(yīng)。
驗,鉭在常溫下,對堿溶液、、溴水、稀硫酸以及其他許多藥劑均不起作用,僅在氫氟酸和熱作用下有所反應(yīng)。這樣的情況在金屬中是比較的。
鉭雖然在19世紀(jì)初就已被發(fā)現(xiàn)了,但直到1903年才制出了金屬鉭,1922年開始工業(yè)生產(chǎn)鉭。因此,世界鉭工業(yè)的發(fā)展始于20世紀(jì)20年代,中國鉭工業(yè)始于1956年
電容器是鉭的主要終消費領(lǐng)域,約占總消費量的60%。美國是鉭消費量的國家,1997年消費量達(dá)500噸,其中60%用于生產(chǎn)鉭電容器。日本是鉭消費的第國,消費量為334噸。
廢鉭的主要礦物有:鉭鐵礦[(Fe,Mn)(Ta,Nb)2O6]、重鉭鐵礦(FeTa2O6)、細(xì)晶石[(Na,Ca)Ta2O6(O,OH,F)]和黑稀金礦[(Y,Ca,Ce,U,Th)(Nb,Ta,Ti)2O6]等。煉錫的廢渣中含有廢鉭,也是廢鉭的重要資源。
一般來說,廢鉭材回收的主要步驟包括收集、分類、預(yù)處理、再生和再利用等環(huán)節(jié)。其中,預(yù)處理是一個關(guān)鍵步驟,它包括去除雜質(zhì)和清洗等過程,以使廢鉭材能被重新利用。
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