原生多晶硅具有灰色金屬光澤。密度2.32-2.34。熔點(diǎn)1410℃。沸點(diǎn)2355℃。溶于氫氟酸和硝酸的混酸中，不溶于水、硝酸和鹽酸。硬度介于鍺和石英之間，室溫下質(zhì)脆，切割時(shí)易碎裂。加熱至800℃以上即有延性，1300℃時(shí)顯出明顯變形。常溫下不活潑，高溫下與氧、氮、硫等反應(yīng)。高溫熔融狀態(tài)下，具有較大的化學(xué)活潑性，能與幾乎任何材料作用。

多晶硅，是單質(zhì)硅的一種形態(tài)。熔融的單質(zhì)硅在過(guò)冷條件下凝固時(shí)，硅原子以金剛石晶格形態(tài)排列成許多晶核，如這些晶核長(zhǎng)成晶面取向不同的晶粒，則這些晶粒結(jié)合起來(lái)，就結(jié)晶成多晶硅。
利用價(jià)值：從目前國(guó)際太陽(yáng)電池的發(fā)展過(guò)程可以看出其發(fā)展趨勢(shì)為單晶硅、多晶硅、帶狀硅、薄膜材料（包括微晶硅基薄膜、化合物基薄膜及染料薄膜）。
而著稱(chēng)。硅烷有非常寬的自發(fā)著火范圍和的燃燒能量，決定了它是一種高危險(xiǎn)性的氣體。硅烷應(yīng)用和推廣在很大程度上因其高危特性而受到限制在涉及硅烷的工程或?qū)嶒?yàn)中，不當(dāng)?shù)脑O(shè)計(jì)、操作或管理均會(huì)造成嚴(yán)重的事故甚至災(zāi)害。然而，實(shí)踐表明，過(guò)分的畏懼和不當(dāng)?shù)姆婪恫⒉荒芴峁?yīng)用硅烷的安全保障。因此，如何安全而有效地利用硅烷，一直是生產(chǎn)線(xiàn)和實(shí)驗(yàn)室應(yīng)該高度關(guān)注的問(wèn)題。
只有通過(guò)引入等離子體增強(qiáng)、流化床等技術(shù)，加強(qiáng)技術(shù)創(chuàng)新，才有可能提高市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)能力。硅烷法的優(yōu)勢(shì)有利于為芯片產(chǎn)業(yè)服務(wù)，其生產(chǎn)安全性已逐步得到改進(jìn)，其生產(chǎn)規(guī)?？赡軙?huì)迅速擴(kuò)大，甚至取代改良西門(mén)子法。雖然改良西門(mén)子法應(yīng)用廣泛，但是硅烷法很有發(fā)展前途。與西門(mén)子方法相似，為了降低生產(chǎn)成本，流化床技術(shù)也被引入硅烷的熱分解過(guò)程，流化床分解爐可大大提高SiH4 的分解速率和Si的沉積速率。但是所得產(chǎn)品的純度不及固定床分解爐技術(shù)，但完全可以滿(mǎn)足太陽(yáng)能級(jí)硅質(zhì)量要求，另外硅烷的安全性問(wèn)題依然存在。
在太陽(yáng)能利用上，單晶硅和多晶硅也發(fā)揮著的作用。要使太陽(yáng)能發(fā)電具有較大的市場(chǎng)，被廣大的消費(fèi)者接受，就提高太陽(yáng)電池的光電轉(zhuǎn)換效率，降低生產(chǎn)成本。從國(guó)際太陽(yáng)電池的發(fā)展過(guò)程可以看出其發(fā)展趨勢(shì)為單晶硅、多晶硅、帶狀硅、薄膜材料（包括微晶硅基薄膜、化合物基薄膜及染料薄膜）。
多晶硅可作為拉制單晶硅的原料冶金級(jí)硅的提煉并不難。它的制備主要是在電弧爐中用碳還原石英砂而成。這樣被還原出來(lái)的硅的純度約98-99%，但半導(dǎo)體工業(yè)用硅還進(jìn)行高度提純(電子級(jí)多晶硅純度要求11N，太陽(yáng)能電池級(jí)只要求6N)。而在提純過(guò)程中，有一項(xiàng)“三氯氫硅還原法(西門(mén)子法)”的關(guān)鍵技術(shù)我國(guó)還沒(méi)有掌握，由于沒(méi)有這項(xiàng)技術(shù)，我國(guó)在提煉過(guò)程中70%以上的多晶硅都通過(guò)氯氣排放了，不僅提煉成本高，而且環(huán)境污染非常嚴(yán)重。