產品特點：
立自主知識產權的直線型單臂機械手，具有高可靠性、高穩(wěn)定性。
設備配有FFU，采用全封閉結構，可發(fā)揮超潔凈性能，其潔凈度達Class1。
可實現對晶圓缺口的檢測并依據缺口位置對晶圓進行定位。
配備CCD傳感器及圖像處理軟件，可對晶圓ID刻號進行識別與讀??；
可依據客戶需求，非標定制。
晶圓在加工過程中，需要對其進行劃片處理，目前現有的晶圓劃片設備村子按以下不足：1、晶圓初的放置隨意性較大，影響后續(xù)晶圓的對正工作；2、每次只能對晶圓的一個表面進行劃片處理，導致正反面劃片的深度難以控制，增加了后期打磨的工作。
內圓切割時晶片表層損害層大，給CMP產生挺大黔削拋光工作中；刃口寬。材料損害大。品片出率低；成木高。生產效率低；每一次只有切割一片。當晶圓直徑達到300mm時。內圓刀頭外徑將達到1.18m。內徑為410mm。在生產制造、安裝與調節(jié)上產生許多艱難。故后期主要發(fā)展趨勢線切別主導的晶圓切割技術。
頂面碎片(TSC, top-side chipping)，它發(fā)生晶圓的頂面，變成一個合格率問題，當切片接近芯片的有源區(qū)域時，主要依靠刀片磨砂粒度、冷卻劑流量和進給速度。背面碎片(BSC, back-side chipping)發(fā)生在晶圓的底面，當大的、不規(guī)則微小裂紋從切割的底面擴散開并匯合到一起的時候(圖1b)。當這些微小裂紋足夠長而引起不可接受的大顆粒從切口除掉的時候，BSC變成一個合格率問題。
切割參數對材料清除率有直接關系，它反過來影響刀片的性能和工藝效率。對于一個工藝為了優(yōu)化刀片，設計試驗方法(DOE, designed experiment)可減少所需試驗的次數，并提供刀片特性與工藝參數的結合效果。另外，設計試驗方法(DOE)的統計分析使得可以對有用信息的推斷，以建議達到甚至更高產出和/或更低資產擁有成本的進一步工藝優(yōu)化。
切片工藝變得越來越且要求高。切割跡道變得越窄，可能充滿測試用衰耗器(test pad)，并且刀片可能需要切割由不同材料制成的各種涂敷層。在這些條件下達到大的切片工藝合格率和生產率要求認真的刀片選擇和的工藝控制能力。
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